技術(shù)編號(hào)：3272565
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及化學(xué)氣相化學(xué)淀積(CVD)或有機(jī)金屬化學(xué)氣相淀積(MOCVD)裝置的改進(jìn)。技術(shù)背景有機(jī)金屬化學(xué)氣相淀積方法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱MOCVD)是上世紀(jì)70年代后期發(fā)展起來的一種先進(jìn)的氣相外延技術(shù)，廣泛用于多種薄膜材料的制備。尤其在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，它和分子束外延(MBE)并列成為在化合物半導(dǎo)體薄膜的制備中占統(tǒng)治地位的手段?，F(xiàn)有的有機(jī)金屬化學(xué)氣相淀積裝置(MOCVD)由提供反應(yīng)氣體和有...
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