技術(shù)編號：3271867
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種制備鉻靶的方法，尤其涉及一種采用真空熔鑄法制備鉻靶的方 法，屬于金屬材料制備。背景技術(shù)Cr靶主要用于磁控濺射的真空鍍膜。濺射Cr靶的純度、致密度對濺射薄膜的性能 影響很大，靶材的純度越高，濺射薄膜的性能越好。為此，應(yīng)盡可能降低靶材中的雜質(zhì)含量， 減少沉積薄膜的污染源，提高薄膜的均勻性。Cr靶的制備，按工藝可分為熔煉鑄造和粉末 冶金兩大類，采用粉末冶金的方法制備的Cr靶容易含有氣孔，氣孔的存在，會導(dǎo)致濺射時 產(chǎn)生不正常放電而產(chǎn)生雜質(zhì)粒子。熔煉法...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。