技術(shù)編號:3271254
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及氣體設(shè)備領(lǐng)域,具體而言,涉及一種特氣管路及具有其的等離子體增強化學(xué)氣相帶電沉積設(shè)備。背景技術(shù)在等離子體增強化學(xué)氣相帶電沉積設(shè)備生產(chǎn)過程中,需要特氣和微波,在高頻低壓的工藝環(huán)境下,在350度的高溫下將從管路通入的特氣(硅烷和氨氣)經(jīng)過微波打成等離子狀態(tài),然后附著到硅片表面,完成工藝。特氣在經(jīng)過特氣管路時,形成的氮化硅粉末會在管內(nèi)慢慢沉積到管壁和特氣孔的側(cè)壁上,經(jīng)過長時間的累積,使特氣管路和特氣孔的氣體流路變窄,影響氣流流量的穩(wěn)定性。圖I示出了等...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。