技術(shù)編號:3268780
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,簡稱CVD)裝置,更具體地說,涉及一種用于化學(xué)氣相沉積裝置中的氣體噴淋結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)化學(xué)氣相沉積是制備半導(dǎo)體薄膜器件的一種關(guān)鍵工藝,包括各種微電子器件、薄膜光伏電池、發(fā)光二極管,都離不開金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積(Metal-organicChemical Vapor D印osition,簡稱M0CVD)工藝。MOCVD的基本生長過程是,將反應(yīng)氣體從氣源引入反應(yīng)腔室,利用以加熱...
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