技術(shù)編號：3268650
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及生長第III族元素和第V族元素化合物薄膜的反應(yīng)器，尤其涉及一種金屬有機化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的氣體分布裝置及相關(guān)反應(yīng)器。背景技術(shù)氮化鎵(GaN)是一種廣泛應(yīng)用于制造藍光、紫光和白光二極管、紫外線檢測器和高功率微波晶體管的材料。由于GaN在制造適用于大量用途的低能耗裝置(如，LED)中具有實際和潛在的用途，GaN薄膜的生長受到極大的關(guān)注。GaN薄膜能以多種不同的方式生長，包括分子束外延(MBE)法、氫化物蒸氣階段外延(HVPE)法、金屬有機化合物化...
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