技術(shù)編號：3265991
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型屬于以強(qiáng)氧化劑和強(qiáng)還原劑為源生成氧化膜的外延設(shè)備。以強(qiáng)氧化劑和強(qiáng)還原劑化合生成的化合物具有高熔點，高強(qiáng)度，高絕緣和可具有良好的透明性的優(yōu)點，在工業(yè)中，尤其是在機(jī)械、化工、電子工業(yè)中得到日益廣泛的應(yīng)用。近來它的生長方法已擴(kuò)展到薄膜處延技術(shù)方面來，如在硅上生長AL2O3(三氧化二鋁)然后再外延長Si(硅)甚至進(jìn)行多層異質(zhì)外延形成半導(dǎo)體膜-絕緣膜-半導(dǎo)體膜-絕緣膜-硅襯底多層異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料。但目前外延設(shè)備較為落后，反應(yīng)室內(nèi)密封性能差，造成外延膜形成大量微...
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