技術(shù)編號(hào):3263907
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種Li摻雜生長(zhǎng)p型透明導(dǎo)電NihMgxO晶體薄膜的方法,屬于P型透明導(dǎo)電薄膜。背景技術(shù)透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜是一種重要的光電材料,因其獨(dú)特的透明性與導(dǎo)電性結(jié)合于一體而在太陽(yáng)能電池、平板液晶顯示器、發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。n型TCO材料,如ITO (In2O3 = Sn),F(xiàn)TO (SnO2 = F)和AZO (ZnO = Al),其光電性能已達(dá)到較好水平,且已經(jīng)廣泛應(yīng)用于商業(yè)化產(chǎn)品中。然而,與之相應(yīng)的p型TCO材料的種類少,且...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。