技術(shù)編號：3263611
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。用來沉積純物質(zhì)和化合物薄膜的沉積法已為人們了解。近年來，薄膜沉積的主要技術(shù)一直是化學(xué)氣相沉積(CVD)。CVD的一種不同形式，原子層沉積(ALD)被認(rèn)為是對薄膜沉積中均勻性和貼合性的改進(jìn)，尤其是低溫沉積。ALD原來稱之為原子層取向生長，對此，有用的參考文獻(xiàn)是Atomic Layer Epitay，由T.Sunola和M.Simpson(Blackie Glasgo and London，1990)編輯。在AlD法中，一般是常規(guī)的CVD法劃分成一個個單層沉積...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。