技術(shù)編號：3260863
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域，具體而言，涉及一種。背景技術(shù)在多晶硅太陽能電池的生產(chǎn)過程中，需要對擴(kuò)散后的硅片表面沉積一層減反射膜以減少太陽光在硅片表面發(fā)生的反射。氮化硅薄膜具有高的化學(xué)穩(wěn)定性、高電阻率、絕緣性好、硬度高、光學(xué)性能良好等特性，在太陽能電池上得到廣泛的應(yīng)用。作為減反射膜，氮化硅薄膜具有良好的光學(xué)性能，其折射率在2. O左右，比傳統(tǒng)的二氧化硅減反射膜具有更好的減反射效果；同時，氮化硅薄膜還具有良好的鈍化效果，對質(zhì)量較差的硅片能起到表面和體內(nèi)的鈍化作用...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。