技術(shù)編號(hào)：3259255
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種同軸納米電纜的制備方法領(lǐng)域，具體涉及一種。背景技術(shù)同軸納米電纜是指內(nèi)核為半導(dǎo)體的納米絲，外包覆異質(zhì)納米殼體(導(dǎo)體或絕緣體)，外部的殼體和內(nèi)核是共軸的。由晶體SiC內(nèi)核和非晶SiO2外殼組成的碳化硅/ 二氧化硅(內(nèi)核/外層)同軸納米電纜不僅在軸向具有納米線和納米管的雙重結(jié)構(gòu)，而且在徑向上具有理想的半導(dǎo)體-絕緣體的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，因此碳化硅/ 二氧化硅(內(nèi)核/外層)同軸納米電纜在許多應(yīng)用領(lǐng)域都具有很大的潛力。碳化硅/ 二氧化硅(內(nèi)核/外層)同軸納米電纜...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。