技術(shù)編號(hào)：3257178
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體硅微機(jī)械加工，是一種在室溫下通過氨水濕法可控性腐蝕來制備超薄納米級(jí)硅可協(xié)變襯底。背景技術(shù) 隨著微電子和光電子技術(shù)的發(fā)展，越來越需要把不同的器件集成在一起。器件的集成首先是不同材料的結(jié)合，其中面臨的主要挑戰(zhàn)是材料之間晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的差異。由于熱失配所引起的應(yīng)變比晶格失配產(chǎn)生的應(yīng)變小一個(gè)數(shù)量級(jí)，所以人們主要考慮的是晶格失配。在異質(zhì)外延生長中應(yīng)用最廣泛的是緩沖層技術(shù)，但該技術(shù)對(duì)小失配體系有明顯的效果，而對(duì)大失配體系沒有明顯的作用。1991年...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。