技術(shù)編號(hào)：3257155
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積(CVD)，特別涉及用于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的噴淋頭和改善化學(xué)氣相沉積工藝均勻性的方法。背景技術(shù)MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種化學(xué)氣相外延沉積工藝。它以III族、II族元素的有機(jī)化合物和V、VI族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)的源材料，以熱分解反應(yīng)方式在至于石墨盤的襯底上進(jìn)行沉積工藝，生長(zhǎng)各種II1-V族、I1-VI族化合物半導(dǎo)體以...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。