技術(shù)編號(hào)：3254750
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及原子層沉積設(shè)備，具體涉及一種氣體分配器及包括該氣體分配器的原子層沉積設(shè)備。背景技術(shù)原子層沉積(ALD)方法的最大特點(diǎn)是表面反應(yīng)是自限制的，單周期薄膜沉積過程中由以下幾個(gè)步驟(1)第一種反應(yīng)前驅(qū)體輸入到襯底材料表面并通過化學(xué)吸附(飽和吸附)沉積在表面；(2)用惰性氣體將多余的前軀體吹掃干凈；(3)將當(dāng)?shù)诙N前驅(qū)體通入反應(yīng)腔，就會(huì)與己吸附于襯底材料表面的第一種前驅(qū)體發(fā)生反應(yīng)。兩種前驅(qū)體之間會(huì)發(fā)生置換反應(yīng)并產(chǎn)生相應(yīng)的副產(chǎn)物，直到吸附在表面的第一種前驅(qū)體...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。