技術(shù)編號：3254742
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于等離子體應(yīng)用，涉及ー種陣列式空心陰極結(jié)構(gòu)的等離子體發(fā)生裝置。該裝置把原子層沉積功能與空心陰極放電特征結(jié)合在一起，利用空心陰極電極結(jié)構(gòu)可以增加放電時的等離子體密度，降低等離子體溫度，改善其他一些等離子體參數(shù)，從而提高沉積效率，并優(yōu)化所沉積材料的微觀結(jié)構(gòu)和性能。背景技術(shù)原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)是ー種改良的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，起初稱為原子層外延。它是由芬蘭人Suntola T和Antson M J最先發(fā)明提出...
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