技術(shù)編號：3254580
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于使用原子層沉積(ALD)在襯底上沉積一個或者多個材料層的沉積裝置。背景技術(shù)原子層沉積(ALD)是用于在襯底上沉積一個或者多個材料層的薄膜沉積技術(shù)。ALD使用兩種類型的化學(xué)物，一種是源前體而另一種是反應(yīng)物前體。一般而言，ALD包括四個階段(i)注入源前體，( )去除源前體的物理吸收層，(iii)注入反應(yīng)物前體以及(iv)去除反應(yīng)物前體的物理吸收層。ALD可以是在可以獲得所需厚度的層之前可能需要延長的時間量或者許多重復(fù)的緩慢過程。因此，為了加...
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