技術(shù)編號：3254422
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)的磁性體薄膜、特別是采用垂直磁記錄方式的硬盤的磁記錄層的成膜中使用的強磁性材料濺射靶，涉及漏磁通大、在通過磁控濺射裝置進(jìn)行濺射時可以得到穩(wěn)定的放電的非磁性材料粒子分散型強磁性材料濺射靶。背景技術(shù)在以硬盤驅(qū)動器為代表的磁記錄領(lǐng)域，作為承擔(dān)記錄的磁性薄膜的材料，使用以作為強磁性金屬的Co、Fe或Ni為基質(zhì)的材料。例如，采用面內(nèi)磁記錄方式的硬盤的記錄層中使用以Co為主要成分的Co-Cr型或Co-Cr-Pt型強磁性合金。另外，在采用近年來已實用...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。