技術(shù)編號(hào):3252653
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種多孔SiO2薄膜的制備方法。背景技術(shù) 基于熱探測(cè)的非制冷紅外探測(cè)器具有快速、寬頻響應(yīng)和室溫工作的特性,易于熱成像,性價(jià)比高。非制冷紅外探測(cè)器將入射輻射轉(zhuǎn)換為熱,從而導(dǎo)致探測(cè)器元件溫度升高,溫度的變化隨后將轉(zhuǎn)換為可被放大和顯示的電信號(hào)。非制冷紅外探測(cè)器的信號(hào)大小主要受敏感元溫度變化的影響,由于硅襯底的熱導(dǎo)率極高(145W/mk),相當(dāng)比例的熱量散失在硅片中,使探測(cè)器的響應(yīng)度大大降低。目前降低熱導(dǎo)被公認(rèn)為提高非制冷焦平面列陣性能的主要途徑。因此,...
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