技術(shù)編號:3252606
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于薄膜堆積或沉積的分子束源以及一種用于控制分子束數(shù)量或量(volume)的方法,其通過加熱以薄膜的形式形成在諸如基片等的固體或固體物質(zhì)的成膜表面上的材料,使用于形成薄膜元件的材料熔化、升華或蒸發(fā);即產(chǎn)生用于在固體表面上生長薄膜的蒸發(fā)分子,并且尤其涉及一種在薄膜堆積中使用的分子束源,適用于連續(xù)長時間在諸如基片等的固體成膜表面上堆積或沉積一種有機(jī)薄膜,以及一種用于控制從其發(fā)出的分子束的數(shù)量或量方法。背景技術(shù) 一種稱為“分子束外延設(shè)備”的薄膜沉積...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。