技術(shù)編號(hào):3252392
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及沉積系統(tǒng)及其操作方法,更具體地,涉及具有用于材料沉積和轉(zhuǎn)移的多個(gè)獨(dú)立區(qū)域的沉積系統(tǒng)。背景技術(shù) 通常,在材料處理過(guò)程中,當(dāng)制備復(fù)合材料結(jié)構(gòu)時(shí),等離子體常常被用于促進(jìn)材料膜的添加和去除。例如,在半導(dǎo)體處理中,干法等離子體刻蝕處理常常被用于沿著在硅襯底上圖案化的精細(xì)的線或者在硅襯底上圖案化的過(guò)孔或接觸中去除或者刻蝕材料?;蛘?,例如,氣相沉積處理被用于沿著硅襯底上的精細(xì)的線或者在硅襯底上的過(guò)孔或接觸中沉積材料。在后者中,氣相沉積處理包括化學(xué)氣相沉積(CV...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。