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技術(shù)編號：3252182

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本發(fā)明涉及一種裝有冷卻金屬鎵靶的中頻孿生磁控濺射裝置。背景技術(shù) GaN單晶薄膜一般用MOCVD、MBE或鹵化物氣相外延(HVPE)方法在800～1100oC高溫在藍(lán)寶石襯底上外延生長而成；GaN光電器件的制備則一般采用MOCVD和MBE，最近HVPE也成功地用于制備GaN發(fā)光器件。但對薄膜晶體顯示器和太陽電池等應(yīng)用領(lǐng)域來說，由于一般采用玻璃襯底，制作流程需在較低溫度下完成，上述三種方法(MBE、MOCVD、HVPE)都不適于這種應(yīng)用領(lǐng)域。磁控濺射濺射是一種...
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