技術編號：3249493
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及適用于發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)、電子器件等的in族氮化物化合物半導體發(fā)光元件的制造方法，特別是涉及可使結(jié)晶性 良好的m族氮化物化合物半導體結(jié)晶在基板上進行外延生長的m族氮化物 化合物半導體發(fā)光元件的制造方法、m族氮化物化合物半導體發(fā)光元件以 及燈。本申請基于在2006年8月18日在日本申請的特愿2006-223260號和 特愿2006-223261號以及在2006年10月26日在日本申請的特愿 2006-291082號要求優(yōu)先權，...
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