技術(shù)編號(hào)：3248880
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本文是有關(guān)于沉積氧化硅層于基材上的方法以及用來沉積氧化硅層于 基材上的系統(tǒng)。背景技術(shù)隨著集成電路上的組件密度不斷提高，組件結(jié)構(gòu)的尺寸與間距亦不斷 縮小。結(jié)構(gòu)間隙和溝渠的寬度變窄會(huì)提高這些結(jié)構(gòu)的高度對(duì)寬度的比例(即 深寬比)。換言的，集成電路組件持續(xù)微型化對(duì)于縮小組件的橫向?qū)挾鹊姆?度大于縮小縱向高度的幅度。雖然提高組件結(jié)構(gòu)的深寬比可在半導(dǎo)體芯片基材的相同表面積上放置 更多的結(jié)構(gòu)，但也會(huì)引起制造上的問題。問題之一在于，進(jìn)行填入制程時(shí)難以在不產(chǎn)生空隙(void...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。