技術(shù)編號(hào)：3247945
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及制備非晶氫硅薄膜的裝置。技術(shù)背景非晶氫硅(a-SiH)是種能實(shí)現(xiàn)可控?fù)诫s的半導(dǎo)體薄膜材料，在太陽能電池、 肖特基勢(shì)壘半導(dǎo)體器件、光電探測(cè)、平面顯示、節(jié)能玻璃等領(lǐng)域早已得到廣泛 應(yīng)用。目前的a-SiH薄膜制備方法大多沿襲1986年的美國(guó)專利4631198 (Kakinuma,etal.)，采用射頻放電等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)，以氫氣 和硅烷作為反應(yīng)先驅(qū)體，在加熱基板上沉積薄膜。也有采用常壓化學(xué)氣相沉積 (APCVD)技術(shù)制備非晶硅...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。