技術(shù)編號(hào):3246261
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及復(fù)合薄膜制備系統(tǒng)領(lǐng)域,特別涉及一種激光分子束外延-磁控濺射復(fù)合成 膜系統(tǒng)。背景技術(shù)薄膜技術(shù)在現(xiàn)今的工業(yè)生產(chǎn)和科學(xué)研究中占有重要的地位。在眾多的薄膜制備方法中, 磁控濺射和脈沖激光沉積在固體薄膜的生長(zhǎng)中是兩種相互不可替代的重要方法 磁控濺射的方法 一般是采用輝光放電的方法使惰性氣體(如氬氣)放電離化而產(chǎn)生等離 子體,等離子體中的陽(yáng)離子Ur+)在電場(chǎng)的作用下被加速而轟擊處于陰極的固態(tài)靶材,當(dāng) 離子轟擊靶材的能量大于靶材表面粒子的結(jié)合能時(shí),這些粒子就要...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。