技術(shù)編號(hào)：3246220
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子，是一種平板式等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀 積設(shè)備的反應(yīng)室結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)在微電子和光電子領(lǐng)域，制造各種半導(dǎo)體器件和集成電路需要采用平板式等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)設(shè)備生成高質(zhì)量的SiN、非晶Si、 Si02等薄膜。而常規(guī)的平板式等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)設(shè)備的 反應(yīng)室是翻蓋式的單室結(jié)構(gòu)，如圖1所示，圖中，進(jìn)氣管7，射頻電極35， 載片盤IO，下加熱器27，真空閥ll，機(jī)械泵12，下加熱器電源接口27， 密封橡皮圈30，勻氣盤3...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。