技術(shù)編號：3246069
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種通過在基底襯底上生長氮化物半導(dǎo)體薄膜(諸如氮化鎵(GaN )薄膜)而獲得的。背景技術(shù)GaN是具有纖維鋅礦(Wurzite)結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體，并在室 溫下具有與藍(lán)色波長范圍的可見射線相對應(yīng)的3.4 eV的直4矣;沃遷 能帶隙，與InN和A1N形成固溶體以控制能帶隙能量，并在固溶體 的整個組分范圍內(nèi)表現(xiàn)出直接躍遷半導(dǎo)體的特性。因此，GaN廣泛 用作用于發(fā)光器件(特別是藍(lán)色發(fā)光器件)的材料。通常，GaN薄膜通過MOCVD (金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。