技術(shù)編號：3245863
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于信息電子、功能材料領(lǐng)域，特別是提供了一種降低自旋閥薄膜 矯頑力的方法。背景技術(shù)自旋閥是在20世紀(jì)90年代初,由B. Dieny et al. J. Appl. Phys. 69, 4774 (1991)提出的一種實(shí)用化的巨磁電阻材料，它以其低飽和場，高靈敏度等優(yōu)點(diǎn)率先進(jìn)入 實(shí)用化階段，在短短的幾年內(nèi)，就開發(fā)出一系列高靈敏度磁電子器件，在磁傳感 器、計(jì)算機(jī)硬盤讀頭和磁電阻隨機(jī)存儲器(MRAM)等方面具有廣闊的應(yīng)用前 景。這種自旋閥結(jié)構(gòu)利用外場下...
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