技術(shù)編號(hào):3244599
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明主要涉及一種用于固化沉積于襯底上的介電材料的紫外固化腔室以及利用紫外輻射固化介電材料的方法。背景技術(shù) 諸如氧化硅(SiOx)、碳化硅(SiC)和摻碳氧化硅(SiOCx)薄膜的材料廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造中。一種在半導(dǎo)體襯底上形成這種含硅薄膜的方法為通過(guò)在腔室內(nèi)進(jìn)行化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝。例如,硅源和氧源之間的化學(xué)反應(yīng)可在CVD腔室內(nèi)的半導(dǎo)體襯底的頂部上生成固態(tài)氧化硅的沉積。作為另一示例,碳化硅和摻碳氧化硅薄膜可由包含具有至少一個(gè)Si-C鍵的有機(jī)硅...
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