技術(shù)編號(hào)：3244092
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種對(duì)AZO透明導(dǎo)電薄膜的后處理方法。對(duì)于用磁控濺射制備的AZO 薄膜，采用Si氣氛退火的方法改善薄膜的導(dǎo)電性和穩(wěn)定性。背景技術(shù)對(duì)可見光的平均透過率高(> 80% )、電阻率低(< 10_3 Ω -cm)的透明導(dǎo)電薄膜 在太陽(yáng)能電池、平板顯示器、薄膜晶體管(TFT)、氣敏元件、抗靜電涂層、波導(dǎo)器件和紅外反 射窗口等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。相對(duì)于SnO2 (NESA)或摻Sn的^i2O3(ITO)等透明導(dǎo)電薄 膜，AZO薄膜具有如下優(yōu)點(diǎn)(...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。