技術(shù)編號：3211603
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種，尤其涉及一種，該激光處理裝置能夠僅對襯底的待進行激光處理的部分選擇性地進行激光處理，并且能夠防止氣體存留在襯底與平臺之間直到襯底放置在平臺上。背景技術(shù)在制造半導體器件、平板顯示器(FPD)器件、或太陽能電池器件等時，當在高溫下沉積薄膜時，熱化學反應(yīng)可能造成反應(yīng)爐污染，或者可能產(chǎn)生不想要的化合物。因而，使用激光激發(fā)的等離子體化學氣相沉積在低溫下沉積薄膜。同時，由于隨著襯底規(guī)格的增大，很難確保薄膜沉積和退火時的均勻性，因此已經(jīng)提出了包括激光退火...
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