技術編號：3121921
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種兼容無定形碳光學吸收層的用于激光退火系統(tǒng)的高溫計。背景技術在硅和形成在硅晶片或其他襯底(諸如用于顯示的玻璃面板)上的其 他半導體集成電路的制作中需要熱處理。所需要的溫度范圍可能從小于250。C的相對較低溫度到大于1000° 、 1200°或甚至1400°的溫度，并且 可以被用于各種處理，諸如注入摻雜退火、結晶化、氧化、氮化、硅化、 化學氣相沉積以及其他處理。對于先進的集成電路所需要的非常淺的器件特征，期望在實現(xiàn)所需要 的熱處理的過程中減小總的...
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