技術(shù)編號：3111219
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。茲描述切割半導(dǎo)體晶圓的方法，每一晶圓具有數(shù)個集成電路。方法包括形成遮罩于半導(dǎo)體晶圓上。遮罩由覆蓋及保護(hù)集成電路的層組成。利用多步驟激光劃線工藝圖案化遮罩，以提供具有間隙的圖案化遮罩。圖案化露出集成電路間的半導(dǎo)體晶圓區(qū)域。接著經(jīng)由圖案化遮罩的間隙蝕刻半導(dǎo)體晶圓，以單粒化集成電路。專利說明利用具有等離子體蝕刻的混合式多步驟激光劃線工藝的晶圓切割[0001]對相關(guān)申請案的交叉引用[0002]本申請案主張2012年4月10日申請的美國臨時專利申請案第61/622，...
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