技術(shù)編號：3079161
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。，包括S11.用固態(tài)激光器發(fā)射激光來照射非晶硅層的下表面，以對所述非晶硅層進行預(yù)熱；以及S12.用準分子激光器發(fā)射激光來照射所述非晶硅層的上表面，以將所述非晶硅層晶化成多晶硅，其中所述步驟S11先于所述步驟S12一預(yù)定時間執(zhí)行或同時執(zhí)行。本申請不但能夠大大縮短非晶硅熔化而晶化成多晶硅的時間，從而有效提高多晶硅的產(chǎn)量，而且，由于降低了非晶硅的熔化和晶化時的溫度梯度，從而能夠有效增加多晶硅的結(jié)晶率并改善多晶硅的結(jié)晶質(zhì)量，另外，還可以減少昂貴的準分子激光器的發(fā)射...
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