技術(shù)編號：3075920
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提出一種利用激光干涉技術(shù)快速制造大面積黑硅的方法。利用特定多光束干涉組合，形成點陣周期光場分布，在含硫化合物氣氛環(huán)境下，利用較大的干涉光場分布和控制硅材料樣品的二維平面位移，結(jié)合硅材料的激光刻蝕閾值，直接在硅材料表面快速形成大面積黑硅表面結(jié)構(gòu)。通過對干涉光場的控制，可以獲得結(jié)構(gòu)周期可變的黑硅表面結(jié)構(gòu)。同時該方法解決了傳統(tǒng)飛秒激光掃描方法難以快速獲得大面積黑硅表面結(jié)構(gòu)以及結(jié)構(gòu)周期不可控的局限。另外還具有系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單，加工成本低的優(yōu)點。專利說明—種微結(jié)構(gòu)...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。