技術(shù)編號：3001293
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及可用于硅片互連材料(例如銅)的電-化學(xué)-機械拋光 (e-CMP)的方法和化學(xué)組合物。具體而言，本發(fā)明涉及可用于實現(xiàn)硅片 互連材料改進(jìn)的平面化的e-CMP方法和組合物。背景技術(shù)用于硅片互連的銅的電沉積被認(rèn)為是現(xiàn)代微電子工藝的重要部分.通 常通過將銅沉積到覆蓋導(dǎo)電襯里的種晶層上、沉積到光刻生成的線條和通 孔中來提供這類互連，過量銅一一被稱作"過載的"一一沉積在這些起伏 (features)的頂部和整個開闊區(qū)(field)，通常達(dá)大約0.5微米至大約1...
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