技術(shù)編號(hào)：2983751
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于通過(guò)沿形成在諸如半導(dǎo)體晶片或光學(xué)裝置晶片的晶片上的芯片道(street)施加激光束而進(jìn)行處理的。背景技術(shù) 如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員公知的，在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中形成了具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片(諸如IC芯片或LSI芯片)的半導(dǎo)體晶片，所述半導(dǎo)體芯片被形成在諸如硅基底的半導(dǎo)體基底的前表面上的矩陣中并且包括由絕緣膜和功能膜構(gòu)成的層壓結(jié)構(gòu)。在如此形成的半導(dǎo)體晶片中，上述半導(dǎo)體芯片通過(guò)稱作“芯片道”的分界線被分成片段，并且通過(guò)沿所述芯片道切割半導(dǎo)體晶片而制...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。