技術(shù)編號：2975347
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及等離子體刻蝕反應(yīng)裝置，特別涉及一種等離子體刻蝕反 應(yīng)器介質(zhì)窗。背景技術(shù)在眾多半導(dǎo)體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術(shù)之一?？涛g分為濕法 刻蝕和干法刻蝕。干法刻蝕是因大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的需要而開發(fā)的精細加工技術(shù)，它具 有各向異性特點，在最大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。干法刻蝕通常通過 等離子體刻蝕反應(yīng)器來實現(xiàn)。典型的等離子體刻蝕反應(yīng)器主要包括反應(yīng)腔、真空及壓力控制系統(tǒng)、射頻(RF)系 統(tǒng)、靜電卡盤和硅片溫度控制系統(tǒng)、氣體流量...
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