技術(shù)編號：2971493
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。相關(guān)申請的交叉參照本申請基于并主張2002年7月12日提交的在先日本專利申請2002-204928、2002年7月19日提交的序列號為60/396,730的在先美國臨時專利申請、和2003年3月6日提交的在先日本專利申請2003-60670的優(yōu)先權(quán)，這里引入其全部內(nèi)容作為參照。例如在平行平板型的等離子體處理裝置中，在兼作載置臺的下部電極上放置半導(dǎo)體晶片。通過在該下部電極和與之相對的上部電極之間施加RF電力，產(chǎn)生等離子體。由該等離子體來進行成膜處理或蝕刻處理...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。