技術編號：2969415
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及使用等離子體化學氣相沉積制備具有納米結構的碳膜的裝置和方法，以及碳膜結構體。背景技術 在等離子體化學氣相沉積(等離子體CVD)法中，碳膜可以在基底上制備。通常，對于等離子體CVD法，在控制氣體壓力的同時引入材料氣體。應用橫過彼此面對的一對板狀電極的DC功率會產(chǎn)生等離子體?；妆患訜?。通過控制送往基底的離子能量，碳膜可在基底上制備出來(參見JP-A-11-50259)。發(fā)明內(nèi)容等離子體CVD法采用高的氣體氣壓。應用高電壓以產(chǎn)生等離子體。膜制備需要花...
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