技術編號：2968250
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及陰極射線管，特別是涉及補償由外部磁場引起的其內(nèi)部的電子束偏移的技術。雖然是所謂的眾所周知的事情，然而由于與本發(fā)明的宗旨有直接的關系，因此極簡單地對其進行說明。在內(nèi)部磁屏蔽體的內(nèi)部的空間中，如果地磁漏泄并侵入到該內(nèi)部空間，則電子束(或者電子線)受到侵入到內(nèi)部的磁場產(chǎn)生的洛侖茲力f，在這里表示為f＝q(V×B)的影響。其結(jié)果，到達從原來的到達點沿著洛侖茲力的方向偏移的位置。另外，這里，f是加入到電子上的力，q(＜0)是電子的電荷量，V是電子的運動矢量...
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