技術(shù)編號(hào):2967970
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及離子束源,特別涉及到一種負(fù)離子束源,該負(fù)離子束源顯示為圓形,或者矩形幾何形狀的大區(qū)域。背景技術(shù) 先前的技術(shù)包括了許多用于將材料薄膜沉積到導(dǎo)電和絕緣基片上的工序。離子束沉積有利于許多形式的鍍層技術(shù)。對(duì)于金剛石狀的碳鍍層沉積,化學(xué)蒸氣沉積和蒸氣相變沉積技術(shù)占主導(dǎo)地位?;瘜W(xué)蒸氣沉積工序包括熱絲發(fā)射系統(tǒng)、等離子輔助沉積系統(tǒng)、等離子噴射和直流電弧噴射系統(tǒng)。每個(gè)沉積工序需要該基片處于高溫,另外,這些工藝使用有大百分比氫氣的氣體混合物。氫氣的高度集中經(jīng)常會(huì)導(dǎo)致...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。