技術(shù)編號：2964828
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及薄膜成形設(shè)備，尤其涉及屬于等離子體化學(xué)蒸發(fā)沉積設(shè)備的薄膜成形設(shè)備，它由一等離子載體界定一輝光放電空間，從而簡化清潔步驟和提高生產(chǎn)率，同時還提供箱式載體型等離子化學(xué)蒸發(fā)沉積設(shè)備的諸優(yōu)點?，F(xiàn)有技術(shù)的敘述通常，由于等離子化學(xué)蒸發(fā)沉積設(shè)備在一相對較低溫度上進(jìn)行其幾乎所有的工藝過程，并可在大面積上生產(chǎn)均勻薄膜，因此它被廣泛地用來制造和形成制造半導(dǎo)體集成電路、薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)、太陽能電池等所需要的半導(dǎo)體或絕緣層。作為適用...
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