技術(shù)編號(hào)：2950725
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及液態(tài)金屬離子源、二次離子質(zhì)譜儀以及二次離子質(zhì)譜分析方法及其應(yīng)用。背景技術(shù)二次離子質(zhì)譜特別指所謂的靜態(tài)二次質(zhì)譜(SSIMS)。能量豐富的一次離子束直射 到待分析的基體表面。當(dāng)轟擊基體時(shí)，一次離子束將隨后要分析的所謂二次離子從該材料 中撞擊出來(lái)。通過(guò)這種分析，能夠確定表面的材料。為了獲取表面上的特定物質(zhì)分布信息， 一次離子束可對(duì)該表面進(jìn)行掃描。為了獲取縱深信息，可將一次離子束直射到表面的一個(gè) 特定位置，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后，移去該處表面，以便暴露并分析更深...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。