技術(shù)編號(hào)：2948523
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本揭示案大體上涉及離子注入，尤其涉及一種用于離子注入器的離子源 的。背景技術(shù)陰極(cathod)以及反射極(repeller)定位于離子注入器(ion implanter )的離子源(ion source )內(nèi),藉由將電子注入至源氣體(source gas )而產(chǎn)生離子等離子體(ion plasma)。反射極具有與陰極相同的 電勢(shì)但不經(jīng)受加熱，反射極的用途是藉由將電子反射回等離子而防止電 子逃逸出等離子。陰極以及反射極兩者在安裝后皆向源氣體提供實(shí)質(zhì)上 平坦...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。