技術(shù)編號(hào)：2945760
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo)體設(shè)備的裝置，具體而言，其涉及一種使用具有電感耦合等離子體(ICP)和電容耦合等離子體(CCP)屬性的混合耦合等離子體(HCP)的裝置。背景技術(shù) 隨著與半導(dǎo)體設(shè)備有關(guān)的工業(yè)的發(fā)展，已經(jīng)研究出一種具有高容量和高功能的用于制造半導(dǎo)體設(shè)備的裝置。因此，需要在有限的區(qū)域中集成更多數(shù)目的元件。此外，在半導(dǎo)體設(shè)備的制造領(lǐng)域中已經(jīng)研究和發(fā)展出超精細(xì)圖案化和高集成的技術(shù)。為了獲得具有超精細(xì)圖案化和高集成的半導(dǎo)體設(shè)備，一種使用通過激活反應(yīng)氣體而獲得...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。