技術(shù)編號：2938951
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。傾斜等離子摻雜本文所用的部分標(biāo)題僅用于組織目的且不應(yīng)理解為限制本申請案所描述 的主題。背景技術(shù)現(xiàn)有光束線離子植入器使用電場來加速離子。根據(jù)經(jīng)加速的離子的荷質(zhì)比(mass-to-charge ratio)將其過濾以選擇所要的離子以便植入。等離子摻雜 (plasma doping) 或浸入式等離子離子植入 (PIII， plasma immersion ion impantation)將目標(biāo)浸入含有摻雜劑離子(d叩antion)的等離子中并用一系列 負(fù)電壓脈沖...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。