技術(shù)編號：2936467
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種等離子體增強技術(shù)及其設(shè)備及其應(yīng)用，特別是用 于低壓氣相沉積的等離子體源技術(shù)和設(shè)備及其應(yīng)用。背景技術(shù)在氣相沉積(包括物理氣相沉積-PVD和化學(xué)氣相沉積-CVD ) 過程中，特別是低壓氣相反應(yīng)合成化合物薄膜過程，尤其單質(zhì)材料 濺射和蒸鍍合成化合物薄膜過程中，往往受到離化率不足的制約， 造成沉積速率低和膜層結(jié)合力弱等不足。為了解決上述問題，發(fā)展了多種離子源技術(shù)和設(shè)備，其中大多數(shù) 設(shè)備存在比較復(fù)雜和笨重、成本較高等問題。例如，著名的Balzers 大...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。