技術(shù)編號：2934597
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施方式主要涉及處理襯底的方法和裝置。具體地說，本發(fā)明的 實(shí)施方式涉及用于在半導(dǎo)體襯底的等離子體處理過程中監(jiān)控-一種或多種物種 的劑量的方法和裝置。背景技術(shù)在等離子體處理諸如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝、高密 度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDPCVD)工藝、等離子體浸入離子注入工藝(Pin) 和等離子體刻蝕工藝期間，控制離子劑量是很重要的。集成電路制造中離子注 入工藝尤其需要以在半導(dǎo)體襯底上獲得預(yù)期離子劑量的設(shè)備和控制系統(tǒng)。離子注入的劑量...
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