技術編號：2934437
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種用于儲存帶電粒子和將其噴射到質量分析儀的離子 阱。具體地，但非排他地，本發(fā)明涉及一種離子阱，其適合用于將離子注 入到諸如多次反射飛行時間分析儀或軌道阱之類的靜電阱中。背景技術離子阱，包括RF離子阱，是允許儲存離子和將儲存的離子噴射到諸如 離子回旋共振(ICR)分析儀之類的質量分析儀的現(xiàn)有設備。Kofel, P.、 Allemann， M.、 Kellerhals, H.P.和Wanczek， K. P.的"用于離子回旋共振質譜 測量的外部捕獲...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。