技術(shù)編號：2933912
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種質(zhì)量分離型的離子注入裝置，其使包含從離子源引 出的所希望離子種的離子束在磁場中通過從而質(zhì)量分離，將質(zhì)量分離了 的離子束對基板照射從而進(jìn)行離子注入。背景技術(shù)在半導(dǎo)體基板或液晶面板用玻璃基板上形成薄膜晶體管(TFT)的 工序中，為了對硅或硅薄膜進(jìn)行注入雜質(zhì)的離子注入，使用離子注入裝 置。對基板注入的離子種有磷(P)和硼(B)等，將包含這些的原料氣 體對離子源進(jìn)行供給并等離子化，將從等離子體中引出并加速了的剖面 長方形狀的帶狀離子束對基板照射進(jìn)行離...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。